導讀：據蓋世汽車Seeds報道，第三代半導體氮化鎵外延企業晶湛半導體于12月8日宣布，完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。
本輪增資由尚頎資本及上汽集團戰略直投基金、蔚來資本聯合領投，匯譽投資、新尚資本、聯行資產、合肥建投資本、米哈游、京銘資本等機構跟投，老股東安徽和壯繼續加碼。值得注意的是，這已是蔚來資本繼去年12月領投數億元C輪融資后，又一次領投晶湛半導體。
圖片來源：晶湛半導體
據官方資料顯示，晶湛半導體是，長期專注于高質量GaN材料的研發和產業化。目前，其已申請專利超過700項、授權近200項，并已建成GaN外延材料研發和生產基地。
而本輪融資所得資金將用于產能擴充、進一步加大在新產品和新技術領域的科技創新研發，提升產品多樣性與豐富，從而擺脫進口依賴，實現GaN材料的安全可控。
GaN，即氮化鎵是第三代半導體材料，具有耐高溫、耐高壓、高頻和高功率等優異特性，被認為是目前最具發展潛力的半導體材料之一，在新能源汽車領域具有廣闊應用前景。
以高速成長的新能源汽車應用為例，可以實現更快的開關速度、更高的轉換效率、更輕小的系統尺寸和重量的GaN車載電力電子系統應用將滿足車體輕量化、系統高效化和長程續航等核心需求。
除此以外，包括日益增長的數據交換及AI算力需求所帶來的數據中心電源高效節能的需求、電動汽車自動駕駛帶來的激光雷達（LiDAR）需求、車載信息娛樂系統（IVI）以及新型高效車用頭燈、車載抬頭顯示、透明顯示等需求都離不開高品質GaN材料的支撐。
其中，外延材料位于GaN產業鏈的上游，決定了器件的性能和成本。
聚焦晶湛半導體，其創始人程凱博士是硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者。該公司也是全球最早，也是最頭部的氮化鎵外延技術企業之一，且是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商。
早在2014年底，晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，填補了國內氮化鎵產業的空白；2021年9月，又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片；2022年11月，晶湛半導體總部大樓建設項目封頂，該項目預期建成后，將成為國內規模最大的氮化鎵電力電子材料和微顯示材料生產基地。
在此背景下，晶湛半導體創始人、總裁程凱博士表示，“本次融資代表了資本市場對晶湛發展與實力的充分認可和信任，今后晶湛將繼續加大研發和技術投入，保持公司在行業內的競爭優勢，加速推進GaN材料在汽車電子等領域的應用。”
